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▲ 사진=베렉스 BLB28

베렉스는 갈륨비소(GaAs) 기반의 Enhancement mode pHEMT 기술을 적용해 2500-7000MHz 대역에서 무선통신에 적합하며, 기존 제품 BLB04보다 Gain을 4.9GHz에서 5dB 개선한 저잡음용 증폭기 BLB28을 출시했다.

BLB28는 내부에 50ohm으로 정합돼 있으며, RoHS2 규정을 만족시키며 DFN 8L 2x2㎟ surface mounting package를 사용한다. 또 기존 제품보다 Gain이 높고, 사용 대역도 7GHz까지 사용할 수 있다.

베렉스 마케팅팀 신헌수 부장은 “BLB28은 고속의 전원 온-오프(on-off) 성능이 요구되는 TD-LTE 및 TD 5G NR 통신이 가능하고 4GHz 이상에서 이득을 높이는 제품을 목표로 개발됐다”며 “기존 제품인 BLB04보다 사용 주파수 대역을 7GHz까지 확대했으며 이득을 높였고, P1 높은 것이 장점”이라고 설명했다.

5V의 동작전압과 52mA의 동작전류에서 사용 시 4.9GHz에서 특성은 20.7dB의 이득, 31.5dBm의 출력 선형성(OIP3), 19.6dBm의 출력 전력(P1dB) 및 5G NR 신호에 대한 출력 8.2dBm에서 -50dBc의 ACLR(자기 채널 전력과 인근 채널의 누설 전력 차이 비율)을 보이고, 0.8dB의 낮은 잡음 지수 성능 및 Max input power가 30dBm까지 가능하다.

또 국내 및 해외 5G용 사용 주파수인 2.5~5GHz에서도 우수한 특성이 있다. 앞으로 Gain이 더 높은 2stage 제품, 600M~6GHz 전체 사용 가능한 제품 및 Bypass 기능이 적용된 LNA 등도 출시 예정이다.

현재는 대부분 5G용 기지국 및 중계기 등의 이동통신 시스템용 부품은 대부분 수입에 의존하고 있으나, 이번 제품의 국산화 개발을 통해 5G 이동통신 시스템용 부품의 및 수입 대체 등의 기대 효과가 따를 것으로 생각된다.

베렉스는 이동통신용 갈륨비소, 갈륨질소(GaN), 실리콘-게르마늄(SiGe) 및 Si-CMOS 기술을 이용해 5G용 부품을 개발해 세계 정상급 이동통신용 반도체 회사 진입 목표를 갖고 있다.